（原标题：英特尔将建设7nm芯片试验厂 提升工艺水平）
近日，英特尔宣称将建设一座7nm工艺试验工厂，此举也为芯片的量产制造打下了基础。该公司表示，他们将借助7nm工艺回到两年生产周期，并会采用更智能的芯片设计。
英特尔将建设7nm芯片试验厂 提升工艺水平（图片来自Yahoo）
Mercury Research首席分析师Dean McCarron认为，这条试验生产线是为了搞清楚如何进行芯片的量产，“只要确定了制作工艺，其他的工厂就会进行复制。”
外界猜测，尽管英特尔没有提及会在何时开始量产7nm芯片，但至少不会在未来2至3年内。
目前，英特尔已经不再忙于在每一代芯片当中把晶体管数量翻倍，他们对于摩尔定律的诠释更符合每晶体管成本相关的经济学，可以在产量提升之后降低。
据了解，7nm工艺将为芯片带来更大的设计变化，使其变得更小也更节能。英特尔计划使用奇特的III-V材料进行芯片生产，在提高性能速度的同时实现更长续航。
此外，英特尔还希望利用7nm去缓解他们在14/10nm处理器上遇到的一些挑战。据悉，他们将会在生产中引入极紫外线（EUV）工具，来帮助进行更加精细的功能蚀刻。
如今，包括Globalfoundries和三星在内的芯片厂商均开始探索在7nm工艺。Globalfoundries表示，他们将在2018年开始7nm芯片的生产，ARM也发布了7nm芯片的设计工具。但目前我们并不清楚Globalfoundries是否会进行7nm芯片的测试生产，还是直接开始大批量生产。
在今年的CES上，英特尔展示了使用10nm工艺制作的Cannonlake芯片。英特尔CEO布莱恩·柯再奇表示，Cannonlake将在年底小批量出货，并在明年扩大出货量。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：英特尔将建设7nm芯片试验厂 提升工艺水平http://biz.zol.com.cn/625/6256693.html
本文来源：中关村在线
责任编辑：
王晓易_NE0011
