(原标题:三星投资136亿美元建设的芯片工厂将运营)
据外媒The Investor报道,三星电子将于7月正式启用位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂,该工厂的建设费用高达15.6万亿韩元(约合136亿美元),占地面积289万平方米。
三星投资136亿美元建设的芯片工厂将投入运营(图片来自Samsung Tomorrow)
据悉,三星将在该工厂量产第四代3D NAND闪存芯片,该芯片垂直堆叠达到64层。初期,新工厂的产量将较为有限,需要几年时间才能全面运转。
目前,三星已经要求合作伙伴在5月底之前供应必要的芯片制造设备。据了解,工厂平面和垂直NAND闪存芯片的总产能预计将达到每月45万片晶圆,3D NAND闪存芯片将占据一半以上。
三星预计将于今年开始在这一芯片制造综合体运营,但是尚未正式宣布具体时间表。作为全球最大的NAND闪存芯片制造商,三星去年在NAND闪存芯片市场的份额已增长至36.1%。
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