7纳米成制造工艺的下一个里程碑 谁将勇夺第一？

（原标题：7纳米乃制造工艺的下一个里程碑 谁将勇夺第一？）

两周之前，三星已经开始预告过自家的7纳米制造工艺，并表示预计在未来几年内问世。目前，三星与半导体行业的主要竞争对手台积电，主流仍处于14纳米和16纳米工艺节点上，但随着高通Snapdragon 835和Exynos 8895处理器的全面量产，使得三星成为全球首个10纳米取得突破的半导体厂商。

在更先进10纳米制造工艺下打造的处理器，将有助于智能手机提供更高的性能和更长的续航时间。不过，正如三星所说，10纳米并不是重点，而且整个半导体行业正在寻求下一个重要的里程碑。那么，三星、台积电、GlobalFoundries和英特尔，谁更有望成为7纳米工艺制程的领军者呢？

三星

回顾一下三星的公告，三星称已经为7纳米生产线投入了巨额资本，以确保未来半导体的生产能够达到预期水平。不过，这笔投资开花结果的预期时间最快也要等到2019年初。这就意味着我们可能还要等待两年左右的时间，才能看到三星7纳米量产，以及相关设备的开始准备发布工作。

三星已经介绍过自家的7纳米制程工艺了，但都只是介绍SRAM技术进展，具体更偏向于研究，毕竟测试SRAM只是真正芯片的一部分，离未来正式推出的差距还远得多了，甚至可以说只是概念层面。

有意思的是，三星似乎还准备了更多的工艺节点，最近三星透露，目前自家工艺支持线路图中已经添加了8纳米和6纳米工艺制程，届时将继承10纳米和7纳米工艺的所有创新，并且可扩展性、性能和能效上将更具优势。

无论如何，三星7纳米芯片生产线最快增加部署也要到2018年，但在2019年之前将不会有任何实际芯片量产。在这两年时间里，三星还是专注于改进10纳米工艺。三星还表示今年年底就能够量产第二代10纳米LPP工艺了，至于第三代10纳米LPU工艺明年就能进入量产

台积电

台积电对7纳米的追求似乎比三星更激进，根据其线路显示，台积电称自家的7纳米经过量产生产风险测试数月后，大概在2018年中期就能够正式商用了。不过有意思的是，台积电并不追求EUV极紫外光微影技术，而是坚持延续193nm液浸式光刻技术。台积电计划到5纳米结点才真正过渡到EUV技术，所以起码还有到2019年年底才可能部署。

另外有一个关键点是，AMR和台积电已经宣布达成长期的战略合作，共同联手开发基于7nm工艺制程的SoC一体式芯片。基于这层合作关系，移动芯片的开发、生产线的建立以及商业化的速度一定会比同行更快。专门为SoC芯片设计方提供开发工具的公司Cadence Design Systems，之前就已经为台积电的7纳米FinFET工艺提供了认证，表示已通过兼容性测试，这就表示基于台积电的7纳米工艺，芯片厂商可以更快的利用开发工具来构建和设计处理器。

台积电之前也展示了7纳米的SRAM技术，并称其为复杂SoC电路上一个重要的里程碑，同时台积电还指出7纳米将有相对健康的产能。前段时间，台积电还透露联发科正与其密切合作7纳米的12核处理器，表示7纳米正在量产认证，接下来两个季度进行试产，2018年便可实现量产。

台积电对自家的工艺似乎非常有信心，其总经理刘德音在3月份一次投资会议上宣称，不仅7纳米会推出强化版，导入极紫外光（EUV）微影设备，而且5纳米预定2019年上半年进行风险性试产，比原定的2020年提前至少半年。至于3纳米，现在已经投入研发当中，未来拉大与英特尔、三星的差距不是问题。

GlobalFoundries 

过去几代移动SoC芯片的发展历程中，GlobalFoundries几乎已经被人遗忘，但7纳米工艺节点非常有可能卷土重来。GlobalFoundries已经宣布放弃10纳米工艺节点，但会保持与竞争对手在7纳米节点上的步伐，而且认为这必然会是一次重大的里程碑。

最近一次有关GlobalFoundries的官方消息显示，目前公司正计划在2018年下半年开启生产线，实现第一枚7纳米芯片的生产，而在2017年的工作是完成生产设施的部署，并在下半年开始生产和测试晶圆。

正如台积电，GlobalFoundries目前使用的也是193nm液浸式光刻技术，但未来也会部署EUV设施。不过，在2019年之前不太可能启动EUV产线，毕竟可能是与三星7纳米相同的技术，预计要花的时间也不会相差太远。

英特尔

历史上，英特尔一直是处理器制造工艺的领导者，并且在去年已经开始部署10纳米移动芯片的生产线。去年8月份的时候，英特尔宣布与ARM合作，提供定制代工芯片业务，让客户能立即运用包括POP IP在内的ARM Artisan实体IP，以最先进的ARM处理器与Cortex系列处理器为基础，将英特尔的10纳米制程技术最佳化。

有传闻LG将是英特尔的第一个客户，目的是生产LG自主设计的芯片。因此，英特尔在移动市场的表现也相当值得关注。但比较遗憾的是，到目前为止英特尔还没有公布任何有关下一代7纳米工艺的信息，按照一些猜测来看，英特尔可能也会押注EUV技术，与三星和GlobalFoundries的时间表差不多。

2月初的时候，英特尔宣布将投资70亿美元完成美国亚利桑那州一家闲置工厂的升级改造，有可能该生产线将是7纳米芯片的准备工作，然而英特尔也另一份声明中明确，这家工厂还要等3至4年才能投产。因此，合理预计英特尔的第一枚7纳米芯片最要要等到2019年的下半年。再考虑到英特尔针对10纳米的发展进度，兴许还会推迟到2020年或更晚。

转折点：2018年下半年

从上述信息来看，虽然大量半导体厂商都已经开始谈论未来的制程工艺技术，但10纳米时代才刚刚到来，如今离7纳米还有很长时间。如果台积电和GlobalFoundries的计划没有更改，最早看到7纳米的时间可能会到2018年下半年，而真正量产则要等至2019年年初。而在2017年和2018年，10纳米会主宰芯片市场。