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自2014年以来，三星已经生产了近20万块EUV光刻圆晶，在256MB的SRAM上实现了80%的良品率。三星将在3年内从14nm工艺逐步过渡到11nm，10nm，8nm和7nm。有关三星半导体路线图最新的消息，包括11nm LPP和7nm EUV的开发，三星将在2017年9月15日的日本东京三星半导体技术论坛中详细讲解。
（原标题：三星宣布推出EUV技术7、11纳米LPP工艺：明年开始投产）
荷兰ASML公司制造的EUV光刻机是所有半导体厂商梦寐以求的抢手货，但制造难度极高的EUV（极紫外）光刻机在据说今年内的年产量只有12台，也就是1个月只有1台能出售给半导体厂商。不过三星始终是三星，在半导体领域的影响力确实是大，今天三星就宣布推出采用EUV技术的11nm LPP和7nm LPP工艺，他们的半导体路线图又向前迈进了一步。
对比早期的14nm LPP工艺，11nm LPP工艺同功耗情况下性能提升15%，而芯片面积却降低10%，除了在旗舰手机芯片上使用10nm FinFET工艺外，三星还打算将11nm工艺处理器使用在中高端手机，11nm工艺计划在2018年上半年投产。三星还证实采用EUV光刻技术的7nm LPP工艺芯片正在开发当中，目标是在2018年下半年投产。
自2014年以来，三星已经生产了近20万块EUV光刻圆晶，在256MB的SRAM上实现了80%的良品率。三星将在3年内从14nm工艺逐步过渡到11nm，10nm，8nm和7nm。有关三星半导体路线图最新的消息，包括11nm LPP和7nm EUV的开发，三星将在2017年9月15日的日本东京三星半导体技术论坛中详细讲解。
本文来源：IT之家
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韩一冰_NT3945
