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智诚尚芯申请高压增强型GaN功率器件专利，提高器件的击穿电压

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金融界 2026-07-04

国星半导体申请GaN基LED外延结构及其制备方法专利，提升GaN基LED外延结构的抗水解能力

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金融界 2026-07-03

华为取得基于P-GaN帽层和Fin结构的增强型射频器件及其制备方法专利

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金融界 2026-07-03

南京中电芯谷申请基于差分3ω法的GaN热阻测试方法专利，降低了测试误差

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金融界 2026-07-01

乾照光电申请外延结构及发光二极管专利，避免形成巨型V-pits

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金融界 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

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和讯网 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

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证券时报 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

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新浪财经 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

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每日经济新闻 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

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金融界 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

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格隆汇 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

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界面新闻 2026-06-30

苏州固锝：目前尚未布局GaN产品

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金融界 2026-06-29

GaN专利战：中德两把禁令，切开全球市场

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知产力 2026-06-25

蓝星智探申请基于物理约束空谱解耦GAN的多光谱异常检测方法及系统专利，显著提升模型对异常目标的敏感度

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金融界 2026-06-24

半导体巨头英飞凌相关产品在华禁售！

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哔哥哔特 2026-06-23

瑞兴畅意申请基于SSC-GAN的高光谱小样本智能数据分析方法专利，提升了小样本数据分析的精度和泛化能力

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金融界 2026-06-19

苏州纳维科技取得GaN同质衬底倒装Micro-LED设计方法专利

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金融界 2026-06-19

先导稀材申请P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法专利，减少刻蚀时势垒层的损伤

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金融界 2026-06-19

港股异动   英诺赛科(02577)再涨超4% 英诺赛科专利战完胜 英飞凌相关GaN产品在中国禁售

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金融界 2026-06-17

港股异动 | 英诺赛科(02577)再涨超4% 英诺赛科专利战完胜 英飞凌相关GaN产品在中国禁售

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智通财经 2026-06-17

宇腾电子申请集成GaN驱动器的电动汽车无线充电效率提升控制系统专利，优化系统谐振匹配状态

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金融界 2026-06-17

华为取得使用强极化势垒材料的低栅漏电GaN Fin-HEMT器件专利

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金融界 2026-06-16

金誉半导体取得耗尽型GaN HEMT器件堆叠封装方法专利

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金融界 2026-06-16

罗姆要内部生产GaN

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半导体行业观察 2026-06-16

英飞凌GaN专利案，会是国内第三代半导体的新起点吗？

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不一定有用的频道 2026-06-15

天狼芯半导体取得GaN基HEMT器件及其制备方法专利

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金融界 2026-06-12

京信网络取得GaN功放供电装置和通信设备专利

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金融界 2026-06-12

威弗洛得申请高品质高性能GaN HEMT功率半导体外延晶圆专利，设有后势垒区以优化结构

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金融界 2026-06-10

消电ETF国泰（561310）大跌超4%，GaN功率器件应用扩展受关注

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每日经济新闻 2026-06-10

消电ETF国泰（561310）盘中上涨4.3%，GaN功率器件应用扩展受关注

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每日经济新闻 2026-06-09

瑞森半导体取得GaN晶体管加工用真空镀膜装置专利，实现GaN晶体管的均匀真空镀膜

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金融界 2026-06-06

中镓半导体申请Bulk GaN垂直共振腔外延结构专利，提高Bulk GaN垂直共振腔发光器件的外量子效率

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金融界 2026-06-05

江苏镓宏半导体取得基于GaN开关的EWOD芯片结构专利

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金融界 2026-06-05

CPO+光模块+GaN+SiC！公司CPO用陶瓷外壳/基板市占率处全球头部地位丨公告复盘

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第一财经资讯 2026-06-03

扬杰科技获得发明专利授权：“一种三层并联的增强型GaN-HFET及其制备方法”

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证券之星 2026-05-30

英诺赛科 All GaN：赋能英伟达MGX生态！

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芯榜 2026-05-29

国电科技通信取得基于GaN的永磁同步电机预测电流控制专利

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金融界 2026-05-26

哈工大朱嘉琦团队攻克GaN高温散热难题：双中间层实现高质量金刚石厚膜稳定生长

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新浪财经 2026-05-22

威弗洛得申请具有抑制晶体缺陷和应力的SiC或SiCN成核层的GaN HEMT外延晶圆及其制造方法专利，能够使晶体缺陷最小化并有效控制残留应力

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金融界 2026-05-22

三星调整GaN战略 放弃自产专攻代工

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财闻 2026-05-20

投资者提问：公司产品有应用于第三代半导体（SiC、GaN）吗？半导体方面有...

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新浪财经 2026-05-19

武汉鑫威源电子科技申请GaN激光器P电极结构专利，同时显著提升芯片的剪切强度和长期抗老化能力

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金融界 2026-05-19

远山新材料申请氮化镓外延结构形成方法及半导体器件专利，能够提升栅极击穿电压

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华南理工大学团队在国际顶尖期刊发表GaN功率器件领域系列重要成果

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废墟之旅：那些跌下神坛的AI概念

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脑极体 2026-05-14

东微半导体申请氮化镓器件专利，提高器件可靠性

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金融界 2026-05-13

投资者提问：想问下贵司在第三代半导体：碳化硅（SIC）和氮化镓（GaN）领...

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新浪财经 2026-05-11

苹果折叠屏量产，GaN扩容，消费电子ETF易方达（562950）受热捧

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