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氮化镓+碳化硅+磷化铟名单大全（收藏版）

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次元君情感 2026-06-23

GaN助力电源瘦身，安森美解决AI数据中心的“胖”烦恼

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报错免疫体 2026-06-21

瑞兴畅意申请基于SSC-GAN的高光谱小样本智能数据分析方法专利，提升了小样本数据分析的精度和泛化能力

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金融界 2026-06-19

苏州纳维科技取得GaN同质衬底倒装Micro-LED设计方法专利

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金融界 2026-06-19

先导稀材申请P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法专利，减少刻蚀时势垒层的损伤

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金融界 2026-06-19

港股异动   英诺赛科(02577)再涨超4% 英诺赛科专利战完胜 英飞凌相关GaN产品在中国禁售

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金融界 2026-06-17

港股异动 | 英诺赛科(02577)再涨超4% 英诺赛科专利战完胜 英飞凌相关GaN产品在中国禁售

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智通财经 2026-06-17

宇腾电子申请集成GaN驱动器的电动汽车无线充电效率提升控制系统专利，优化系统谐振匹配状态

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金融界 2026-06-17

华为取得使用强极化势垒材料的低栅漏电GaN Fin-HEMT器件专利

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金融界 2026-06-16

金誉半导体取得耗尽型GaN HEMT器件堆叠封装方法专利

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金融界 2026-06-16

罗姆要内部生产GaN

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半导体行业观察 2026-06-16

英飞凌GaN专利案，会是国内第三代半导体的新起点吗？

网易号
不一定有用的频道 2026-06-15

天狼芯半导体取得GaN基HEMT器件及其制备方法专利

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金融界 2026-06-12

京信网络取得GaN功放供电装置和通信设备专利

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金融界 2026-06-12

威弗洛得申请高品质高性能GaN HEMT功率半导体外延晶圆专利，设有后势垒区以优化结构

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金融界 2026-06-10

消电ETF国泰（561310）大跌超4%，GaN功率器件应用扩展受关注

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每日经济新闻 2026-06-10

消电ETF国泰（561310）盘中上涨4.3%，GaN功率器件应用扩展受关注

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每日经济新闻 2026-06-09

瑞森半导体取得GaN晶体管加工用真空镀膜装置专利，实现GaN晶体管的均匀真空镀膜

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金融界 2026-06-06

中镓半导体申请Bulk GaN垂直共振腔外延结构专利，提高Bulk GaN垂直共振腔发光器件的外量子效率

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金融界 2026-06-05

江苏镓宏半导体取得基于GaN开关的EWOD芯片结构专利

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金融界 2026-06-05

CPO+光模块+GaN+SiC！公司CPO用陶瓷外壳/基板市占率处全球头部地位丨公告复盘

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第一财经资讯 2026-06-03

扬杰科技获得发明专利授权：“一种三层并联的增强型GaN-HFET及其制备方法”

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证券之星 2026-05-30

英诺赛科 All GaN：赋能英伟达MGX生态！

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芯榜 2026-05-29

国电科技通信取得基于GaN的永磁同步电机预测电流控制专利

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金融界 2026-05-26

哈工大朱嘉琦团队攻克GaN高温散热难题：双中间层实现高质量金刚石厚膜稳定生长

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新浪财经 2026-05-22

威弗洛得申请具有抑制晶体缺陷和应力的SiC或SiCN成核层的GaN HEMT外延晶圆及其制造方法专利，能够使晶体缺陷最小化并有效控制残留应力

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金融界 2026-05-22

三星调整GaN战略 放弃自产专攻代工

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财闻 2026-05-20

投资者提问：公司产品有应用于第三代半导体（SiC、GaN）吗？半导体方面有...

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新浪财经 2026-05-19

武汉鑫威源电子科技申请GaN激光器P电极结构专利，同时显著提升芯片的剪切强度和长期抗老化能力

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金融界 2026-05-19

远山新材料申请氮化镓外延结构形成方法及半导体器件专利，能够提升栅极击穿电压

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金融界 2026-05-16

华南理工大学团队在国际顶尖期刊发表GaN功率器件领域系列重要成果

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新浪财经 2026-05-15

废墟之旅：那些跌下神坛的AI概念

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新浪财经 2026-05-15

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脑极体 2026-05-14

东微半导体申请氮化镓器件专利，提高器件可靠性

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金融界 2026-05-13

投资者提问：想问下贵司在第三代半导体：碳化硅（SIC）和氮化镓（GaN）领...

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新浪财经 2026-05-11

苹果折叠屏量产，GaN扩容，消费电子ETF易方达（562950）受热捧

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金融界 2026-05-11

港股异动   英诺赛科(02577)早盘涨超5% ITC终裁确认可公司继续在美进口和销售GaN功率器件

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金融界 2026-05-11

港股异动 | 英诺赛科(02577)早盘涨超5% ITC终裁确认可公司继续在美进口和销售GaN功率器件

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智通财经 2026-05-11

威弗洛得申请用于高性能GaN开关功率器件的生长衬底晶片专利，该生长衬底晶片包括Si(111)生长衬底、第一AlN成核层以及多个SiOx突起

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金融界 2026-05-09

GAN美颜SDK技术方案，用AI重新定义 “真实”！

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美摄科技 2026-05-09

山东大学实现单片集成全GaN有源驱动Micro LED显示模块突破

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LEDinside 2026-05-09

科研成果 | 选区外延技术助力GaN HBT突破S波段，实现16.5 kW/cm²高功率密度输出

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新浪财经 2026-05-08

英诺赛科：ITC终裁确认可继续在美进口和销售GaN功率器件，未侵犯英飞凌相关专利

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观察者网 2026-05-08

英诺赛科胜诉：ITC 终裁确认可继续在美进口和销售 GaN 功率器件

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爱集微 2026-05-08

英诺赛科胜诉：ITC终裁确认可继续在美进口和销售GaN功率器件

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IT之家 2026-05-08

英诺赛科胜诉：ITC终裁确认可继续在美进口和销售GaN功率器件 未侵犯英飞凌的相关专利

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科创板日报 2026-05-08

英诺赛科胜诉：ITC终裁确认可继续在美进口和销售GaN功率器件 未侵犯英飞凌的相关专利

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证券时报 2026-05-08

英诺赛科胜诉：ITC终裁确认可继续在美进口和销售GaN功率器件 未侵犯英飞凌的相关专利

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证券时报 2026-05-08

英诺赛科胜诉：ITC终裁确认可继续在美进口和销售GaN功率器件，未侵犯英飞凌的相关专利

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界面新闻 2026-05-08

英诺赛科胜诉：ITC终裁确认可继续在美进口和销售GaN功率器件 未侵犯英飞凌的相关专利

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金融界 2026-05-08
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