快速导航

gan

相关内容

英飞凌第三代半导体护城河是否正在松动？从GaN禁售事件看全球功率半导体竞争逻辑

网易号
普陀动物世界 2026-07-18

功率半导体年内第二轮涨价潮：AI算力驱动需求分化，SiC/GaN进入"黄金窗口期"

网易号
新浪财经 2026-07-16

宏微科技：GaN 100V/7mΩ产品处于试样验证阶段

网易号
证券之星 2026-07-16

宏微科技：公司GaN 100V/7mΩ产品处于产品适配、试样验证阶段，暂未实现规模化收入

网易号
金融界 2026-07-16

安徽工程大学申请自适应网络拓扑灰狼优化的GAN数据增强与剥落严重性分类方法及系统专利，有效提升对严重剥落类别的识别率

网易号
金融界 2026-07-16

百倍巨头拦不住国产GaN？

网易号
斤风万象 2026-07-14

高杰芯电子取得GaN集成BMS储能电源AI快充数据分析系统专利

网易号
金融界 2026-07-14

2026湾芯展|深圳半导体展最新官宣:10月14日开幕,SiC/GaN龙头齐聚品牌矩阵揭秘,半导体展区规模升级创历届之最,附官方通道最快领票攻略!

网易号
展讯网会展平台 2026-07-11

中科无线半导体申请基于增强型GaN HEMT的单刀双掷开关电路专利，显著提升高频隔离度

网易号
金融界 2026-07-11

兆驰半导体申请GaN基发光二极管外延结构及其制备方法专利，实现了价带Ev全程平滑无尖峰、空穴注入全程畅通

网易号
金融界 2026-07-10

三安半导体申请半导体晶圆专利，降低GaN功率器件成本

网易号
金融界 2026-07-10

江苏鲁汶仪器取得基于GaN基材料原子层刻蚀方法专利

网易号
金融界 2026-07-10

华灿光电：公司主要业务为LED芯片、LED外延片、蓝宝石衬底片及GaN电力电子器件

网易号
金融界 2026-07-09

Wolfspeed就GaN与SiC专利对Navitas提起侵权诉讼

网易号
格隆汇APP 2026-07-08

布局 AR 显示新赛道！德国牵头研发硅基 GaN MicroLED 量产技术

网易号
CINNO 2026-07-06

智诚尚芯申请高压增强型GaN功率器件专利，提高器件的击穿电压

网易号
金融界 2026-07-04

国星半导体申请GaN基LED外延结构及其制备方法专利，提升GaN基LED外延结构的抗水解能力

网易号
金融界 2026-07-03

华为取得基于P-GaN帽层和Fin结构的增强型射频器件及其制备方法专利

网易号
金融界 2026-07-03

南京中电芯谷申请基于差分3ω法的GaN热阻测试方法专利，降低了测试误差

网易号
金融界 2026-07-01

乾照光电申请外延结构及发光二极管专利，避免形成巨型V-pits

网易号
金融界 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

网易号
和讯网 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

网易号
证券时报 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

网易号
新浪财经 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

网易号
每日经济新闻 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

网易号
金融界 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

网易号
格隆汇 2026-06-30

中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

网易号
界面新闻 2026-06-30

苏州固锝：目前尚未布局GaN产品

网易号
金融界 2026-06-29

GaN专利战：中德两把禁令，切开全球市场

网易号
知产力 2026-06-25

蓝星智探申请基于物理约束空谱解耦GAN的多光谱异常检测方法及系统专利，显著提升模型对异常目标的敏感度

网易号
金融界 2026-06-24

半导体巨头英飞凌相关产品在华禁售！

网易号
哔哥哔特 2026-06-23

瑞兴畅意申请基于SSC-GAN的高光谱小样本智能数据分析方法专利，提升了小样本数据分析的精度和泛化能力

网易号
金融界 2026-06-19

苏州纳维科技取得GaN同质衬底倒装Micro-LED设计方法专利

网易号
金融界 2026-06-19

先导稀材申请P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法专利，减少刻蚀时势垒层的损伤

网易号
金融界 2026-06-19

港股异动   英诺赛科(02577)再涨超4% 英诺赛科专利战完胜 英飞凌相关GaN产品在中国禁售

网易号
金融界 2026-06-17

港股异动 | 英诺赛科(02577)再涨超4% 英诺赛科专利战完胜 英飞凌相关GaN产品在中国禁售

网易号
智通财经 2026-06-17

宇腾电子申请集成GaN驱动器的电动汽车无线充电效率提升控制系统专利，优化系统谐振匹配状态

网易号
金融界 2026-06-17

华为取得使用强极化势垒材料的低栅漏电GaN Fin-HEMT器件专利

网易号
金融界 2026-06-16

金誉半导体取得耗尽型GaN HEMT器件堆叠封装方法专利

网易号
金融界 2026-06-16

罗姆要内部生产GaN

网易号
半导体行业观察 2026-06-16

英飞凌GaN专利案，会是国内第三代半导体的新起点吗？

网易号
不一定有用的频道 2026-06-15

天狼芯半导体取得GaN基HEMT器件及其制备方法专利

网易号
金融界 2026-06-12

京信网络取得GaN功放供电装置和通信设备专利

网易号
金融界 2026-06-12

威弗洛得申请高品质高性能GaN HEMT功率半导体外延晶圆专利，设有后势垒区以优化结构

网易号
金融界 2026-06-10

消电ETF国泰（561310）大跌超4%，GaN功率器件应用扩展受关注

网易号
每日经济新闻 2026-06-10

消电ETF国泰（561310）盘中上涨4.3%，GaN功率器件应用扩展受关注

网易号
每日经济新闻 2026-06-09

瑞森半导体取得GaN晶体管加工用真空镀膜装置专利，实现GaN晶体管的均匀真空镀膜

网易号
金融界 2026-06-06

中镓半导体申请Bulk GaN垂直共振腔外延结构专利，提高Bulk GaN垂直共振腔发光器件的外量子效率

网易号
金融界 2026-06-05

江苏镓宏半导体取得基于GaN开关的EWOD芯片结构专利

网易号
金融界 2026-06-05

CPO+光模块+GaN+SiC！公司CPO用陶瓷外壳/基板市占率处全球头部地位丨公告复盘

网易号
第一财经资讯 2026-06-03
没有更多内容了
热点新闻
© 1997-2026 网易公司版权所有 About NetEase | 公司简介 | 联系方法 | 招聘信息 | 客户服务 | 隐私政策 | 不良信息举报 Complaint Center | 廉正举报 | 侵权投诉
无障碍浏览 进入关怀版