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10年打磨！新一代理想L9官宣，全线控底盘＋自研5nm芯片，冲击60万价位，太猛了！

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极果酷玩 2026-02-06

台积电拟将熊本二厂主产工艺升级至3nm

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新浪财经 2026-02-06

李想疯狂剧透全新L9！自研5nm芯片上车，算力2560TOPS，顶配55.98万

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车东西 2026-02-06

2026年7款新款旗舰手机芯片配置参数图已发:今年开始进入2nm时代

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小柱解说游戏 2026-02-06

美国媒体：落后ASML 20年，中国光刻机止步7nm？哈工大光速打脸

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宁夏大唐申请增透自清洁纳米镀膜材料合成方法专利，400–1100 nm透光率提升≥3.8%

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金融界 2026-02-05

台积电2nm产能全被锁定！三巨头2nm工艺核心PK

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宇量信息 2026-02-05

台积电拟在日本量产3纳米芯片 投资额增至170亿美元

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新浪财经 2026-02-05

台积电拟在日本量产3纳米芯片 投资额增至170亿美元

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财联社 2026-02-05

台积电调整日本第二晶圆厂规划，转产3nm工艺并追加170 亿美元投资

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环球网资讯 2026-02-05

消息称台积电在日第二晶圆厂将改为3nm，总投资升至170亿美元

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IT之家 2026-02-05

2纳米被疯抢的原因

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半导体行业观察 2026-02-05

2nm芯片+屏下Face ID，iPhone 18 Pro这升级你打几分？

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数码八叔 2026-02-05

曝三星考虑针对4nm和8nm工艺提价 涨幅约为10%

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CNMO科技 2026-02-04

涨价10%！三星晶圆代工厂考虑针对4nm和8nm工艺提价

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华尔街见闻官方 2026-02-04

三星电子拟上调4nm与8nm晶圆代工报价，涨幅约为10%

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IT之家 2026-02-04

三星电子考虑针对4nm和8nm工艺提价，预计涨幅为10%

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格隆汇APP 2026-02-04

三星晶圆代工计划提高4nm和8nm工艺价格

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界面新闻 2026-02-04

《科创板日报》4日讯，三星电子晶圆代工中心近日已与主要合作伙伴沟通，考虑针对4nm和8nm工艺提价，预计涨幅约为10%。

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科创板日报 2026-02-04

北京包钢钢铁技术申请高强度中厚规格NM450TiLa耐磨钢生产方法专利，得到高低温韧性、高强度和高硬度的NM450级耐磨钢钢板

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金融界 2026-02-04

研究级金相显微镜NM910和明慧MHD2000相机助力惠州消防总队

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iPhone 18系列首发！苹果A20芯片放弃台积电最强2nm工艺

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OPPO Find X10、vivo X500标准版或用3nm天玑9500+

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辉哥说动漫 2026-02-04

造价4亿美元重180吨，全球最先进光刻机亮相

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余塩搞笑段子 2026-02-04

美国智库：即便中国实现了7 nm突破，但他们在先进制程仍面临许多不确定风险

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芯火相承 2026-02-03

台积电2nm产能已被预定完毕，半导体设备材料权重占比超80%的半导体设备ETF 广发(560780)盘中涨近3%，近5日净流入1.56亿元

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界面新闻 2026-02-03

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有连云 2026-02-03

台积电2nm产能已被预订一空，科创半导体ETF（588170）和半导体设备ETF华夏（562590）直线拉升

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消息称苹果M6芯片沿用台积电2nm N2制程

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格隆汇APP 2026-02-03

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科创板日报 2026-02-03

消息称苹果M6芯片沿用台积电2nm N2制程

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财联社 2026-02-03

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新浪财经 2026-02-03

美股异动丨台积电涨幅扩大至2.5% 据称公司2nm产能已被预订一空

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和讯网 2026-02-03

美股异动丨台积电涨幅扩大至2.5% 据称公司2nm产能已被预订一空

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新浪财经 2026-02-02

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格隆汇 2026-02-02

台积电2nm产能被预订一空，英伟达有望率先用A16制程

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IT之家 2026-02-02

消息称苹果M6芯片坚守台积电2nm N2制程

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新浪财经 2026-02-02

消息称苹果M6芯片坚守台积电2nm N2制程

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IT之家 2026-02-02

台积电2nm产能已被预订一空

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新浪财经 2026-02-02

台积电2nm产能已被预订一空

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科创板日报 2026-02-02

台积电2nm产能已被预订一空

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财联社 2026-02-02

京东方申请发光二极管显示器件和显示装置专利，可以提高发光二极管显示器件的显示效率和使用寿命

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金融界 2026-02-02

北京包钢钢铁技术申请NM400TiCe稀土耐磨钢生产方法专利，生产出具有优异高低温韧性、高强度和高硬度的NM400级耐磨钢钢板

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3M创新有限公司申请光学膜和包括光学膜的光学系统专利，光学反射率在特定波长范围内具有低平均值

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三星Galaxy S26首发2nm芯片 发布日期确定

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富士胶片商业创新申请电子照相感光体专利，外周面粗糙度RzJIS为0.1nm以上且100nm以下

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荷兰专家：我5年前预测中国能造7nm，如今他们把7nm当成熟芯片造

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